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紫外诱导衰减 UVID

关键 要点

N型组件的UVID功率衰减高于P型组件。

在UVID和户外曝晒测试后一些TOPCon和HJT组件被观察到暗箱储存衰减。

胶膜添加剂和紫外截止波长是关键参数。

户外暴晒测试会揭露一些TOPCon和HJT的BOMs对UVID较为敏感。

UVID测试 结果聚焦

初始

UVID120

暗箱储存

光浸泡

该组件先是在紫外测试期间功率有衰减,然后在暗箱储存期间继续衰减。在全光谱光浸泡期间一些功率损失得以恢复。紫外敏感组件的EL图像通常呈现“棋盘”模式,在LETID敏感组件中也可以看到,表明电池不均匀地受到UVID应力的影响。

UVID功率衰减图

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